Световноизвестният учен поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите през 30-те години на XX век.

Проф. Иван Странски е един от най-уважаваните и титулувани български учени в чужбина. Неговият значителен научен принос е в областта на физикохимията. Той поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите, която му носи световна известност още през 30-те години на XX век. Днес името “Иван Странски” носят Институтът по физикохимия на Техническия университет в Берлин и Научноизследователският институт в Оберхаузен (област Рур).

Завършва химия в Софийски университет (1922) и химия и физика в Берлинския (1925). Той е първият университетски преподавател по физикохимия (1937) на Софийския университет (СУ). През 1930 г. е поканен в Берлинския технически университет като Рокфелеров стипендиант. Декан на факултета по общи инженерни науки (1948-49), а след това – ректор за два мандата. Сътрудник по физикохимия и електрохимия в Кайзер Вилхем институт в Берлин от 1944 г. Директор (1953-62) на Фритц Хабер Институт – пост, заеман по-рано от нобеловите лауреати Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.

Професор в Свободния университет в Берлин (1945-62). Почетен сенатор на Техническия университет в Берлин (от 1962). Завършва живота си през 1979 г. на българска земя. Там където прави най-значителните си научни открития, донесли му световна слава. Погребан е в гробищния парк на Берлинския квартал Далем, в близост до Фриц Хабер Институт.

Българският учен поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите, наречена „молекулно-кинетична теория на кристалния растеж“. Използваните до тогава термодинамични методи не отчитат симетрията на решетката и силите на взаимодействие между атомите. Според тази теория новите атоми се притъкмяват към кристала на точно определено място от повърхността му, наречено „положение на полукристал“ – най-важното място на кристалната повърхност, което определя скоростта на растежа на кристалите.

Заедно с акад. Радослав Каишев разработват метода на средните отделни работи, като разглеждат равновесието между един малък кристал и заобикалящата го течна или газова фаза и отчитат особената роля на атомите в ръбовете и върховете на кристала. С Любомир Кръстанов предлагат механизма за растеж на един кристал върху подложка от друг кристал.

Неговите теоретични разработки имат непосредствено практическо приложение:

• Електронна емисия на кристални повърхности, което води до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM);
• В областта на металургията – увеличава се с 40% ефективността на рудодобива в Западна Германия, поради което на името на Странски е наречен изследователският институт към завода в Оберхаузен.

Постиженията в областта на физикохимията и по-специално в разбирането на механизмите на кристалния растеж, и огромното им влияние за развитието на сродни научни дисциплини, създават на Иван Странски забележителен международен авторитет и прозвището „Първомайстор на кристалния растеж“.

Проф. Странски чете лекции по много различни научни дисциплини – колоидна химия, електрохимия, структура на молекулите, структура на матрицата, фази, катализа и абсорбция, дори диференциално и интегрално смятане.

Притежава невероятното умение да представя най-трудните неща физически ясно, просто и нагледно. През 1925 г. започва да чете лекции по физикохимия и става първият преподавател по тази дисциплина в България.

За принадлежността на големия учен към световната научна общност говори присъствието му в редица чуждестранни академии: Гьотингенската, Шведската, Баварската, Нюйоркската, академията на естествените науки “Лоеполдина” в гр. Хале, Германия. Проф. Странски е “доктор хонорис кауза” на университетите в Берлин (Техническия и Свободния), Бреслау, Аахен, Виена.

Носител е на медал “Галвани” от университета в Болоня и на Хофмановия медал на Немското химическо дружество. Признанието, отдавна получено в международен план, за което свидетелства даденото му от световната научна общност прозвище “първомайстор на кристалния растеж”, ще дойде по-късно и от България (от 1969 г. той е член на БАН и е удостояван с престижни държавни отличия).

„Иван Странски беше забележителен човек. Притежаваше завидна научна интуиция и фантазия, както и способността да вижда същественото в занимаващите го проблеми и да намира най-простия път за тяхното решаване. Най-ценното негово качество беше, че умееше да увлича млади хора“, казва за него акад. Радослав Каишев.

Откритието на българския учен намира приложение и в IT сферата. Компютърните технологии се нуждаят от силициеви кристали с определена структура. Ако науката не познаваше механизмите на растеж на кристалите, нужното съвършенство на силициевите матрици в чиповете на процесорите и паметите на изчислителните машини би било недостижимо.

Пример за технологично приложение на кристалите са магнитната лента и компютърният твърд диск. Те са покрити с микроскопични кристали на феромагнитни материали, с помощта на които „записват“ нужната информация. С усъвършенстване на тези покрития капацитетът на твърдите дискове в компютрите силно се увеличава.